销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | BSS159N H6327 | Infineon | FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | 1+:¥3.19 10+:¥1.89 100+:¥0.89 1000+:¥0.6899 3000+:¥0.6501 9000+:¥0.62 24000+:¥0.62 45000+:¥0.56 99000+:¥0.541+:¥2.93 25+:¥2.46 100+: |
 Digi-Key 得捷电子 | BSS159N H6327 | Infineon | FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | 1+:¥3.19 10+:¥1.89 100+:¥0.89 1000+:¥0.6899 3000+:¥0.6501 9000+:¥0.62 24000+:¥0.62 45000+:¥0.56 99000+:¥0.54 |
 element14 e络盟电子 | BSS159N H6327 | Infineon | FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS | 1+:¥3.19 10+:¥1.89 100+:¥0.89 1000+:¥0.6899 3000+:¥0.6501 9000+:¥0.62 24000+:¥0.62 45000+:¥0.56 99000+:¥0.541+:¥2.93 25+:¥2.46 100+:¥2.1 |
 Mouser 贸泽电子 | BSS159N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 1:¥3.842 10:¥2.938 100:¥1.5933 1,000:¥1.1978 3,000:¥1.02943 9,000:¥0.96841
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 立创商城 | BSS159N H6327 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 26uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 160mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道 | 1+:¥2.1045 200+:¥0.8145 500+:¥0.7858 1000+:¥0.7717
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