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BSS159N H6327 /MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
BSS159N H6327的规格信息
BSS159N H6327的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:230 mA

Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Depletion

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:BSS159

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:100 mS

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9 ns

典型接通延迟时间:3.1 ns

零件号别名:BSS159NH6327XT BSS159NH6327XTSA2 SP000919328

单位重量:8 mg

供应商BSS159N H6327
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集好芯城BSS159N H6327深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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BSS159N H6327MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO197.27 Kbytes共9页BSS159N H6327的PDF下载地址
BSS159N H6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 26uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 160mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO196.5 Kbytes共9页BSS159N H6327的PDF下载地址
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BSS159N H6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 26uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 160mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道1+:¥2.1045
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